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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KYXC0V-MID 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston KYXC0V-MID 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KYXC0V-MID 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
87
左右 -142% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
36
读取速度,GB/s
3,155.6
15.2
写入速度,GB/s
870.4
11.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2903
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston KYXC0V-MID 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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