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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
87
左右 -278% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
23
读取速度,GB/s
3,155.6
16.6
写入速度,GB/s
870.4
10.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2848
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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