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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston XVTW4H-MIE 32GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
87
左右 -149% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
35
读取速度,GB/s
3,155.6
17.8
写入速度,GB/s
870.4
14.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3489
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
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