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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
87
左右 -123% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
39
读取速度,GB/s
3,155.6
11.5
写入速度,GB/s
870.4
9.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1881
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
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