RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
87
左右 -38% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
63
读取速度,GB/s
3,155.6
14.7
写入速度,GB/s
870.4
12.7
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2543
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2606U2S 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link