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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OCZ OCZ2G8001G 1GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs OCZ OCZ2G8001G 1GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
OCZ OCZ2G8001G 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
870.4
2,039.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OCZ OCZ2G8001G 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
87
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OCZ OCZ2G8001G 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
87
54
读取速度,GB/s
3,155.6
4,343.1
写入速度,GB/s
870.4
2,039.1
内存带宽,mbps
5300
6400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
658
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
OCZ OCZ2G8001G 1GB RAM的比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OCZ OCZ2G8001G 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
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