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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
16.6
写入速度,GB/s
870.4
12.9
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3067
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
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