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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
75
87
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
75
读取速度,GB/s
3,155.6
13.6
写入速度,GB/s
870.4
7.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1457
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
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