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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
16.0
写入速度,GB/s
870.4
11.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2436
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
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