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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
87
左右 -248% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
25
读取速度,GB/s
3,155.6
14.8
写入速度,GB/s
870.4
9.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2340
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
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