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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
85
87
左右 -2% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
85
读取速度,GB/s
3,155.6
15.1
写入速度,GB/s
870.4
8.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1772
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB RAM的比较
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
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Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
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