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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
17.5
写入速度,GB/s
870.4
16.1
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3758
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
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