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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
78
87
左右 -12% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
78
读取速度,GB/s
3,155.6
13.1
写入速度,GB/s
870.4
6.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1584
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Mushkin 996902 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
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