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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
87
左右 -102% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
43
读取速度,GB/s
3,155.6
14.0
写入速度,GB/s
870.4
12.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2867
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
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