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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
87
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
42
读取速度,GB/s
3,155.6
15.6
写入速度,GB/s
870.4
11.5
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2595
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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