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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Super Talent F24UB16GV 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Super Talent F24UB16GV 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Super Talent F24UB16GV 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
87
左右 -263% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
24
读取速度,GB/s
3,155.6
16.0
写入速度,GB/s
870.4
13.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3046
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Super Talent F24UB16GV 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C10-8GSR 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
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