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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
16.7
写入速度,GB/s
870.4
12.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3244
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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