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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
87
左右 -58% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
55
读取速度,GB/s
3,155.6
18.8
写入速度,GB/s
870.4
9.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2293
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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