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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
53
左右 -36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
39
读取速度,GB/s
3,726.4
12.8
写入速度,GB/s
1,590.1
11.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2089
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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