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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
53
左右 -194% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
18
读取速度,GB/s
3,726.4
21.2
写入速度,GB/s
1,590.1
17.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3663
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
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