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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
3,405.2
19.2
写入速度,GB/s
2,622.0
17.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3856
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
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