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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
53
左右 -83% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
29
读取速度,GB/s
3,726.4
17.6
写入速度,GB/s
1,590.1
13.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3412
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
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