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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
53
左右 -96% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.0
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
27
读取速度,GB/s
3,726.4
19.4
写入速度,GB/s
1,590.1
16.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3646
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
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