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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
53
左右 -47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
36
读取速度,GB/s
3,726.4
15.3
写入速度,GB/s
1,590.1
11.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2990
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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