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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
53
左右 -43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
37
读取速度,GB/s
3,726.4
15.1
写入速度,GB/s
1,590.1
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3230
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
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