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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
13.5
17.6
写入速度,GB/s
9.3
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
3542
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
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