RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

总分
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

总分
star star star star star
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 33
    左右 -14% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    12.4 left arrow 8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 7.3
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    33 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    8.0 left arrow 12.4
  • 写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 9.1
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1911 left arrow 2379

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较

Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB RAM的比较

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
内存RAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
内存RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
内存RAM