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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
53
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
45
读取速度,GB/s
3,726.4
19.7
写入速度,GB/s
1,590.1
15.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3240
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
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