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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
34
读取速度,GB/s
11.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2634
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
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