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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
53
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
22
读取速度,GB/s
3,726.4
18.4
写入速度,GB/s
1,590.1
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3205
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
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