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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
53
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
31
读取速度,GB/s
3,726.4
16.3
写入速度,GB/s
1,590.1
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3205
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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