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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
53
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
31
读取速度,GB/s
3,726.4
16.7
写入速度,GB/s
1,590.1
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3598
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965432-082.A00LF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
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