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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
53
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
30
读取速度,GB/s
3,726.4
17.5
写入速度,GB/s
1,590.1
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3537
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
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