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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
53
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
33
读取速度,GB/s
3,726.4
17.2
写入速度,GB/s
1,590.1
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3595
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
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