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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston 9905663-006.A00G 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.4
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
11.9
12.4
写入速度,GB/s
8.1
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2067
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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