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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
53
左右 -104% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
26
读取速度,GB/s
3,726.4
18.8
写入速度,GB/s
1,590.1
15.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3666
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
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