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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
65
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
65
读取速度,GB/s
3,726.4
17.0
写入速度,GB/s
1,590.1
9.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2058
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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PNY Electronics PNY 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
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