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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
53
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
28
读取速度,GB/s
3,726.4
17.0
写入速度,GB/s
1,590.1
13.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3211
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
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