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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Maxsun MSD48G30M3 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Maxsun MSD48G30M3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Maxsun MSD48G30M3 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
33
读取速度,GB/s
4,833.8
14.4
写入速度,GB/s
2,123.3
11.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3105
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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