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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
8.9
14.1
写入速度,GB/s
5.9
10.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2679
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
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