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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
53
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
21
读取速度,GB/s
3,726.4
17.6
写入速度,GB/s
1,590.1
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2994
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
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