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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
53
左右 -121% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
24
读取速度,GB/s
3,726.4
19.4
写入速度,GB/s
1,590.1
15.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3496
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
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