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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
53
左右 -165% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
20
读取速度,GB/s
3,726.4
19.4
写入速度,GB/s
1,590.1
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3395
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
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