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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 9905702-010.A00G 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
53
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
30
读取速度,GB/s
3,726.4
15.6
写入速度,GB/s
1,590.1
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2792
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
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