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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
比较
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
总分
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
41
左右 -128% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
18
读取速度,GB/s
13.3
21.2
写入速度,GB/s
8.6
17.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3663
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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