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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 9905702-150.A00G 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
53
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
21
读取速度,GB/s
3,726.4
18.5
写入速度,GB/s
1,590.1
14.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3331
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
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