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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

总分
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    19 left arrow 28
    左右 -47% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.4 left arrow 13.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.5 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 19
  • 读取速度，GB/s
    13.5 left arrow 19.4
  • 写入速度，GB/s
    9.3 left arrow 14.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2278 left arrow 3290

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较

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Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB RAM的比较

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Kingston KHX2400C15/8G 8GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
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内存RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Kingston 9965669-019.A00G 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
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内存RAM
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