RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Сравнить
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB против Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
28
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
19.4
Скорость записи, Гб/сек
9.3
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2278
3290
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link