RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
62
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
34
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link