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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 9965596-002.B00G 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
53
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.6
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
34
读取速度,GB/s
3,726.4
9.6
写入速度,GB/s
1,590.1
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2346
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
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